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在热丝ＣＶＤ系统中用ＳｉＣ晶须和ＴｉＣ／ＴｉＮ分别增强的Ｓｉ〈，３〉Ｎ〈，４〉陶瓷作衬底沉积了金刚石薄膜，分析研究了金刚石薄膜的生长特征。结果显示，形核过程伴随着部分晶粒的长大，生长过程前期表现为晶粒间的竞争生长，后期则表现为晶粒的均匀生长。
金刚石薄膜在Si<,3>N<,4>陶瓷衬底上的生长特征
【摘 要】
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在热丝ＣＶＤ系统中用ＳｉＣ晶须和ＴｉＣ／ＴｉＮ分别增强的Ｓｉ〈，３〉Ｎ〈，４〉陶瓷作衬底沉积了金刚石薄膜，分析研究了金刚石薄膜的生长特征。结果显示，形核过程伴随着部分晶粒的长大，生长过程前期表现为晶粒间的竞
【机 构】
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大学(长沙)
【出 处】
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'96中国材料研讨会
【发表日期】
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1996年期
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