【摘 要】
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在微波等离子体化学气相沉积(MWP-CVD)系统中进行金刚石薄膜的生长之前,对光滑硅衬底分别进行了超微纳主金刚石粉的涂覆预处理和数十微米金刚石细屑的研磨处理,运用扫描电子
【出 处】
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第二届全国金属功能材料第九届全国非晶态材料和物理第三届全国稀土永磁材料联合学术研讨会
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在微波等离子体化学气相沉积(MWP-CVD)系统中进行金刚石薄膜的生长之前,对光滑硅衬底分别进行了超微纳主金刚石粉的涂覆预处理和数十微米金刚石细屑的研磨处理,运用扫描电子显微镜(SEM)研究了生长在涂敷衬底和研磨衬底上的金刚石薄膜的成核、生长行为及其结构特征.结果表明,纳米粉预处理能在显著提高成核密度的同时,大大缩短长成连续膜所需时间;薄膜的生长过程由前后相继的两个阶段所构成,即确定晶面形成前球状颗粒的成长与融合阶段和晶面的逐渐显露与晶粒长大阶段.经足够长的生长时间后,所得薄膜具有结构致密、晶面清晰、晶形完整和表面平整度高的特征.而研磨处理衬底上的薄膜一旦成核,便确定晶面的显露,但却出现明显的二次成核和孪晶,所得薄膜的致密性与表面平整度均不及涂覆处理的好.研究指出,炸药爆轰制备的纳米金刚石粉对衬底的预处理,不仅简单有效而且经济衫,尤其适合于高致密性自支持金刚石薄膜的生长.
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