基于共振拉曼光谱的硅基底上单壁碳纳米管(n,m)指认

来源 :中国化学会第29届学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:julienchen
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  利用共振拉曼光谱对硅基底上的单壁碳纳米管手性指数(n,m)进行指认是无损获得碳管结构信息的重要方式.本工作利用两个激发波长指认了硅基底上直接CVD生长的随机取向单壁碳纳米管的(n,m).通过将文献报道的Kataura关系图[1]的跃迁能数值红移80meV(半导体管)和60meV(金属管),我们获得了适合本实验条件的跃迁能数值.在此基础上对管径在1.2-2.1nm的随机取向管进行了(n,m)指认,并拟合得到了关系式ωRBM=235.9/dt+5.5.该关系式对Ni、Co、Fe催化生长的随机取向管都适用.电子衍射、G峰和IFM峰等信息进一步确证了相关的指认.
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