聚酞菁锡氧烷晶体外延生长时的分形现象

来源 :2001年全国高分子学术论文报告会 | 被引量 : 0次 | 上传用户：mickey887100

【摘要】

：

本文在采用聚合诱导外延生长(Polymerization-Induced Epitaxy)的方法制备聚酞菁锡氧烷薄膜时,观察到了一种新的、具有分形生长特征的枝晶.具体实验是将本实验室合成和提纯的酞菁锡二醇单体在真空系统中加热升华到已经恒温好的NaCL单晶的(100)解理面上,进行缩聚反应和晶体的外延生长.用JSM-6310F型扫描电子显微镜观察所得薄膜的结晶形态.

【作者】

：

周啸清华大学材料科学与工程研究院(北京) 欧朝阳

【机构】

：

清华大学化工系高分子研究所(北京)

【出处】

：

2001年全国高分子学术论文报告会

【发表日期】

：

2001年3期

【关键词】

：

聚酞菁锡氧烷聚合诱导外延生长分形现象导电聚合物晶体生长

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