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宽禁带半导体材料CdZnTe(CZT)因其高的平均原子序数、高电阻率、良好的载流子传输性能、以及室温下性能优良等优点，已经广泛运用于核医学成像、天体物理、安全检查等研究领域，是目前最有前途的室温x射线、γ射线探测器材料之一。
CdZnTe(111)B面Au/Zn电极的制备及其接触界面性能的研究
【摘 要】
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宽禁带半导体材料CdZnTe(CZT)因其高的平均原子序数、高电阻率、良好的载流子传输性能、以及室温下性能优良等优点，已经广泛运用于核医学成像、天体物理、安全检查等研究领域，是目前最有前途的室温x射线、γ射线探测器材料之一。
【机 构】
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上海大学 材料科学与工程学院
【出 处】
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第十五届全国固体薄膜学术会议
【发表日期】
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2016年5期
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