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精确的器件大信号模型是成功设计微波非线性电路的基础,本文采用基于测量数据的模型,针对SiCMESFET提出了一种改进型的大信号非线性等效电路模型及分析优化思路.
SiC MESFET非线性等效电路模型研究
【摘 要】
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精确的器件大信号模型是成功设计微波非线性电路的基础,本文采用基于测量数据的模型,针对SiCMESFET提出了一种改进型的大信号非线性等效电路模型及分析优化思路.
【机 构】
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电子科技大学,四川,成都,610054
【出 处】
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2005全国微波毫米波会议
【发表日期】
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2006年期
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