【摘 要】
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高介电常数陶瓷具有广泛的应用前景[1],近些年In(Ga、Bi 等)和Nb 共掺杂TiO2 高介电常数陶瓷得到人们的广泛关注[2.3].本文采用固相反应法制备了Al、Nb 共掺杂TiO2 陶瓷,
【机 构】
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哈尔滨工业大学物理系,哈尔滨,150080
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高介电常数陶瓷具有广泛的应用前景[1],近些年In(Ga、Bi 等)和Nb 共掺杂TiO2 高介电常数陶瓷得到人们的广泛关注[2.3].本文采用固相反应法制备了Al、Nb 共掺杂TiO2 陶瓷,研究发现：Al、Nb 等比例共掺杂可以极大的提高TiO2 陶瓷的介电常数,如图1(a)所示,3％共掺杂的样品室温下的介电常数在10000 以上,在100K 到400K 这个较宽的温度范围内,陶瓷的介电常数和介电损耗都具有很好的温度稳定性.
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