BF<,2><'+>注入硅后形成CoSi<,2>的特性研究

• 作 者: 罗葵 高玉芝 张录 王玮 孙玉秀 张利春
• 机 构: 大学微电子学研究所
• 出 处: 第十一届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
• 发表日期: 1999年期
• 关键词: 高温稳定性 注入剂量 实验研究 击穿特性 薄层电阻 多晶硅 单晶硅 温度 分形

实验研究表明，多晶硅中注入一定剂量的ＢＦ〈，２〉〈’＋〉后再形成ＣｏＳｉ〈，２〉，其高温稳定性出未注入ＢＦ〈，２〉〈’＋〉的情况有进一步的提高。在能使钴硅充分形成的温度下（８００°Ｃ），对于ＢＦ〈，２〉〈’＋〉注入剂量低于６Ｅ１５ｃｍ〈’－２〉的情况，ＣｏＳｉ〈，２〉薄层电阻没有太大的增加，另外，单晶硅经ＢＦ〈，２〉〈’＋〉注入再形成ＣｏＳｉ〈，２〉后，ＰＮ结的反向击穿特性有较明显的改善。