论文部分内容阅读
提出了一种适合MEMS器件的自停止腐蚀硅膜制备的方法.此方法利用相对简单的双电极电化学腐蚀系统和与VLSI工艺相兼容的TMAH腐蚀液,并采用硅片的边缘保护技术有效的降低了过腐蚀现象的发生.最后通过实验验证了此方法的可行性,制作出10微米厚的低搀杂硅膜.
自停止腐蚀硅膜制备技术研究
【摘 要】
：
提出了一种适合MEMS器件的自停止腐蚀硅膜制备的方法.此方法利用相对简单的双电极电化学腐蚀系统和与VLSI工艺相兼容的TMAH腐蚀液,并采用硅片的边缘保护技术有效的降低了过腐
【机 构】
：
河北工业大学微电子研究所
【出 处】
：
第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
【发表日期】
：
2003年期
其他文献
道德风险是指银行职员因职业道德缺陷而使银行经营隐藏或出现风险,对银行造成损失或潜在损失。主要表现有贪污欺诈、偷闲、渎职等种种不负责任的行为,道德风险与其它风险一样
基于双栅MOSFET的阈值电压模型,从理论上推导出沟道区杂质数统计涨薄引起阈值电压变化的标准偏差.利用二维数值模拟研究了杂质涨薄引起的阈值电压变化与器件参数的关系,模拟
本文在建立4H-SiC MESFETs的模型的基础上运用二维器件模拟软件MEDICI对4H-SiC MSFETs的高频小信号特性进行了研究.利用正弦稳态分析的方法对4H-SiC MESFETs的高频小信号特性
目前已经报道了能够实现"异或"、"或"以及"与非"功能的RST(实空间电荷转移)逻辑器件.本文探索性的提出了一种实现"与"逻辑功能和发光器件结合的RST器件结构.
本文研究外加高压(1GP)对硅片在低温、中温和高温热处理过程中氧沉淀生成的影响.通过透射电镜观察发现氧沉淀的形态和大小与常压下处理的有很大不同,这表明施加在硅片上的高
本文着重探讨了用于90纳米技术的等离子氮化超薄栅氧化层(Plasma nitridated Oxide)的特性.研究了超薄栅氧化层(EOT=1.5纳米)中氮的含量对于器件特性的影响.从超薄栅氧化层比
本文研究了电流舵结构的数模转换器中最关键的电流开关,并分别讨论了电流源以及电流开关的寄生电容,导通电阻;电流开关的电荷注入,时钟馈通效应;输入信号的同步等问题.并设计
目的了解某部人群肾综合征出血热(HFRS)流行特征及其感染型别,为本病防治工作提供科学依据。方法收集某部的疫情资料及相关信息资料,进行整理分析。同时采集HFRS疫区近期患者