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本文运用二维器件仿真软件MEDICI模拟了δ掺杂层中同掺杂剂量下各种掺杂分布对应变Si-n型MODFET的影响,模拟过程中讨论了均匀分布、高斯分布两种情况.为了增加结论的准确性,模拟过程使用了对文献数据进行拟和得出的应变硅的电子解析迁移率模型.通过模拟结果表明,在总剂量一定的情况下,δ掺杂层电子峰值浓度越高,漏电流、跨导和截止频率相应地会越高,但器件的亚阈特性会越差.