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Ge/SiGe量子阱直接带隙室温电致发光

来源 :第13届全国发光学学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：jijiaweiaics

【作 者】

：

刘智 胡炜玄 李冲 李亚明 薛春来 李传波 左玉华 成步文 王启明 

【机 构】

：

中国科学院半导体研究所集成光电子学国家重点实验室,北京 100083

【出 处】

：

第13届全国发光学学术会议

【发表日期】

：

2013年12期

【关键词】

：

Ge/SiGe量子阱 直接带隙 电致发光 

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