【摘 要】
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采用水浴法制备BiVO4纳米阵列,深入研究了前驱体溶液的浓度和pH值、处理时间以及加热温度对BiVO4纳米阵列形貌的影响.将BiVO4阵列用作电子受体应用到固态量子点敏化太阳电池
【机 构】
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中国科学院新型薄膜太阳电池重点实验室,中国科学院等离子体物理研究所,合肥,230031
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采用水浴法制备BiVO4纳米阵列,深入研究了前驱体溶液的浓度和pH值、处理时间以及加热温度对BiVO4纳米阵列形貌的影响.将BiVO4阵列用作电子受体应用到固态量子点敏化太阳电池中:首先在其上采用旋涂方法沉积宽光谱高吸收系数的量子点敏化剂,然后旋涂有机空穴导体,最后蒸发金属电极完成器件制备.借助紫外可见吸收光谱、XRD、SEM等结构表征手段以及器件性能分析,获得了优化的BiVO4阵列形貌以及电池性能.结果表明,由于BiVO4纳米阵列有较大的表面积,能够有效改善激子分离从而提高电池性能.本文初步展现了BiVO4阵列在固态量子点敏化太阳电池中应用的良好前景.
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