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本文研究了三甲基铝(TMAI)预处理时间对硅衬底上生长GaN的影响。结果表明，没有TMAI预处理，样品的AIN缓冲层以及GaN外延层质量都比较差，通过控制预处理时间，得到表面光滑无裂纹的GaN外延层。然而，过长时间TMAI预处理，AIN缓冲层出现了明显的金属颗粒，GaN层也出现金属花纹。
铝预处理对硅衬底上AlN缓冲层与GaN外延层的影响
【摘 要】
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本文研究了三甲基铝(TMAI)预处理时间对硅衬底上生长GaN的影响。结果表明，没有TMAI预处理，样品的AIN缓冲层以及GaN外延层质量都比较差，通过控制预处理时间，得到表面光滑无裂纹的G
【机 构】
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华南师范大学光电子材料与技术研究所,广东广州,510630
【出 处】
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第十一届全国MOCVD学术会议
【发表日期】
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2010年期
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