【摘 要】
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本文采用自旋极化密度泛函理论，结合周期性平板模型，研究了CH4 在金属Cu(110)表面的吸附和解离机理.结果表明CH4 的最稳定吸附位置是顶位，对应的吸附能是-0.54 eV.CH3、CH2
【机 构】
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南阳师范学院物理与电子工程学院,南阳 473061
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本文采用自旋极化密度泛函理论，结合周期性平板模型，研究了CH4 在金属Cu(110)表面的吸附和解离机理.结果表明CH4 的最稳定吸附位置是顶位，对应的吸附能是-0.54 eV.CH3、CH2 和CH 的最稳定吸附位置分别是短桥位、空位、空位.对应的吸附能分别为-1.63、-3.27 和-5.24 eV.CH4 分子在Cu(110)表面逐步脱氢到CH 的能垒分别为1.37、1.23 和1.13 eV.
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