【摘 要】
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本文采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在Si衬底和玻璃衬底上生长了Ni掺杂的ZnO薄膜,生长温度大约500℃. 通过改变镍源的载气流量来控制样品中镍的掺杂量。分别生长了三
【机 构】
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集成光电子国家重点实验室,吉林大学电子科学与工程学院,长春 130012
【出 处】
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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本文采用金属有机化学气相沉积法(MOCVD)在Si衬底和玻璃衬底上生长了Ni掺杂的ZnO薄膜,生长温度大约500℃.
通过改变镍源的载气流量来控制样品中镍的掺杂量。分别生长了三种不同掺杂量的样品。论文中我们对这三种不同样品分别进行了X射线衍射测试(XRD))、光致发光测试(PL)、光学吸收测试,并研究了Ni的掺杂母增加对样品的晶体结构和光学特性的影响。XRD测试结果显示,虽然随着Ni的含量增加。晶体的结晶质量变差,以至于出现了NiO的相,但所有样品仍保持着ZnO的纤锌矿结构,从PL谱中可以看到,因Ni的掺杂,样品的光学质量急剧变差,光学透射测试结果显示,样品的光学吸收边随着Ni的含量增加明显地向长波方向移动。
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