论文部分内容阅读
本文研究了包括四元合金在内的三种多量子阱结构,对以此为有源层的激光器进行了性能表征和比较分析.通过对阈值电流和外微分量子效率的测量,以及增益分布的模拟分析,证实了四元合金用于量子阱结构生长对提高激光器性能的作用.此外对于优化的量子阱结构激光器,我们还对其漏电流和增益饱和带来的影响进行了研究.
氮化镓基激光器多量子阱结构的性能表征与结构优化
【摘 要】
：
本文研究了包括四元合金在内的三种多量子阱结构,对以此为有源层的激光器进行了性能表征和比较分析.通过对阈值电流和外微分量子效率的测量,以及增益分布的模拟分析,证实了四
【机 构】
：
北京大学宽禁带半导体研究中心,北京大学物理学院,100871
【出 处】
：
第十四届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
【发表日期】
：
2006年期
其他文献
本文简要介绍了西门子440变频器的基本原理、功能特点、以及它在高真空镀膜机锌炉提升装置上的应用情况.
PLC控制技术已经是一门十分成熟的技术,在工业过程控制中PLC已经成为主流控制器.光盘复制行业则是一个新兴的基于光学原理的电子技术行业.在光盘复制过程中,为了保证光盘本身
本文通过SCHAUBLIN 33立式数控镗铣床主轴驱动系统改造的实例,就变频器系统的选型、安装、调试等有关问题进行了专门的论述.
涅克拉索夫普通化学教程中的一节苏联化学出版社出版的涅克拉索夫(Некрсоя)所著的普通化学教程一书,内容丰富,组织严谨,全书贯彻了辩证唯物主义的原理,使读的人既能
中国科学院,参考苏联科学院發展科学事業的先進經驗,於本年6月1日至10日舉行了学部成立大会,劊设了物理学數学化学部、生物学地学部、技術科学部和哲学社会科学部。今後,这
我们通过AlN插入层技术,成功生长出了高Al组份的AlGaN材科.研究并优化了AlGaN材料上的欧姆接触形成条件,而且还优化了Ni/Au肖特基接触,从而成功研制出了AlGaN紫外光肖特基型
利用金属有机气相外延(MOCVD)方法在R-面(1(1)02)蓝宝石衬底上生长了非极性的a-面(11(2)0)GaN薄膜.通过常温拉曼散射光谱的研究发现非极性GaN表面应力呈各向异性.从100K到550
在蓝宝石(0001)衬底上,用金属有机气相沉积(MOCVD)方法外延生长AlGaN样品,溅射10nmNi作为透明的肖特基接触,研究了在氧气氛下低温退火对电极透明性和肖特基结的影响.结果表明
会议
利用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)在蓝宝石衬底上外延生长AlGaN/AlN/GaN异质结材料,通过Hall效应测试并分析了AlN和AlGaN层厚度对2DEG密度和方阻的影响,优化异质结构,以汞
会议