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为提高MOCVD-ZnO-TCO 薄膜的光散射能力和在近红外区域的透过率，本研究小组提出新的工艺技术—“梯度掺杂”技术，即根据不同掺杂量下ZnO:B 薄膜的性能差异，在薄膜生长的不同时间内采用不同的掺杂量，实现对ZnO:B 薄膜表面特性、光电特性的改善。实验获得的ZnO-TCO 薄膜具有高可见光及近红外区域透过率和良好的电学性能（迁移率为22.9 cm2/Vs、电阻率为1.2×10 -3 Ωcm）。此种新型技术生长的TCO 薄膜有望更好地应用于Si 基薄膜太阳电池上，尤其是a-Si/μc-Si 叠层薄膜太阳电池。