【摘 要】
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采用激光分子束外延技术，相同的实验条件下分别在Si(111)、sapphire (0006)和MgO(111)衬底上外延出极性纤锌矿结构AlN薄膜。XRDθ-2θ，Φ扫描和ω扫描结果显示(0002)AlN在
【机 构】
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Key Laboratory of Photovoltaic Materials of Henan Province, School of Physics and electronic.s, Hena
【出 处】
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第十七届全国化合物半导体材料微波器件和光电器件学术会议
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采用激光分子束外延技术，相同的实验条件下分别在Si(111)、sapphire (0006)和MgO(111)衬底上外延出极性纤锌矿结构AlN薄膜。XRDθ-2θ，Φ扫描和ω扫描结果显示(0002)AlN在六方的sapphire (0006)和立方MgO (111)衬底上为均外延生长，其关系为(0002)[11-20]AIN//(111)[0-11]Mgo、(0002)[11-20]AIN//(0006)[01-10](sap)，在Si衬底上并未发现外延关系；ω扫描结果看出MgO (111)衬底上AIN外延膜的半高宽比Si和sapphire衬底上都要小。依据界面原子捧布模式和界面能。分析外延膜晶体质量。
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