【摘 要】
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对于a-Si:H/c-Si 异质结太阳电池的发射极,提出采用浅-重掺杂的双层非晶硅薄膜结构取代现行的单层非晶硅薄膜结构。通过AFORS-HET 软件模拟分析,太阳电池转换效率可有显著提
【出 处】
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第八届中国太阳级硅及光伏发电研讨会
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对于a-Si:H/c-Si 异质结太阳电池的发射极,提出采用浅-重掺杂的双层非晶硅薄膜结构取代现行的单层非晶硅薄膜结构。通过AFORS-HET 软件模拟分析,太阳电池转换效率可有显著提升。本文从器件的能带结构、载流子的漂移速度、发射极结构对于电极接触处隧道电流的影响等各方面,对于双层发射极结构对太阳电池性能提升的机理进行了分析。分析结果认为:双层发射极结构可改善太阳电池空间电荷区的载流子的漂移速度,从而提高了器件在短波段的光生载流子的收集效率,提高了器件的短路电流;另外,双层发射极结构还可改善发射极与TCO 层的隧穿电流概率,减少电池串联电阻,提高太阳电池的开路电压。所以双层发射极结构有利于改善a-Si:H/c-Si 异质结太阳电池的转换效率。
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