【摘 要】
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获得更低电阻率和更高透过率的透明导电膜(TCO)一直是该领域科研人员努力和追求的目标,利用热蒸发和磁控溅射方法制备TCO薄膜的研究己经有很多,本文尝试利用原子层沉积(ALD)这种优良的镀膜方法,希望制备出高性能的ZnO/Cu/ZnO三明治结构的TCO薄膜。利用光学光谱仪和四探针测量仪测试薄膜的光学和电学特性,并利用X射线衍射和透射电子显微镜观察和表征薄膜的细微结构。实验结果显示铜层的厚度对多层膜的
【机 构】
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复旦大学微电子学院,专用集成电路与系统国家重点实验室,上海智能电子与系统研究院,上海200433,中国
【出 处】
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第十四届长三角科技论坛暨第十届华东真空学术交流会
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获得更低电阻率和更高透过率的透明导电膜(TCO)一直是该领域科研人员努力和追求的目标,利用热蒸发和磁控溅射方法制备TCO薄膜的研究己经有很多,本文尝试利用原子层沉积(ALD)这种优良的镀膜方法,希望制备出高性能的ZnO/Cu/ZnO三明治结构的TCO薄膜。利用光学光谱仪和四探针测量仪测试薄膜的光学和电学特性,并利用X射线衍射和透射电子显微镜观察和表征薄膜的细微结构。实验结果显示铜层的厚度对多层膜的光电特性有很大的影响,当铜层厚度增加时,薄膜的电阻率会不断降低,但是透过率也会随之降低。通过分析发现当铜层厚度为14 nm时,电阻率可以低至～3 x 10-4n_cm,同时在可见光区域的平均透过率也能够达到65％。对于ALD初步实现TCO薄膜的制备,就能够达到如此良好的光电特性,说明ALD技术具有制备优异透明导电膜的巨大应用潜力。通过进一步研究和ALD工艺参数的优化,相信利用ALD能够制备出更低电阻率和更高透过率的TCO薄膜。
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