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文中还探讨了可用波长为0.53μm，单脉冲宽度小于10PS的YAG激光器作为激光发源，激发GaAlAa/GaAs/GaAlAs/玻璃结构的样品，建立了测量GaAs层中非平衡少数栽流子寿命的实验装置，并获得了部分测量结果。通过求解非稳态的少数能影响器件性能的若干重要因素。
P型薄层GaAs中少数载流子寿命的研究
【摘 要】
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文中还探讨了可用波长为0.53μm，单脉冲宽度小于10PS的YAG激光器作为激光发源，激发GaAlAa/GaAs/GaAlAs/玻璃结构的样品，建立了测量GaAs层中非平衡少数栽流子寿命的实验装置，并获
【机 构】
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中国科学院西安光学精密机械研究所半导体光电器件研究室(西安)
【出 处】
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中国光学学会98年中国青年光学学术研讨会
【发表日期】
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1998年7期
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