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在10＜＇-15＞乇真空条件下，对ZrO/W（多晶）的逸出功φ和发射常数A进行了测量。实验结果φ为3.05eV，A为1.16×＜＇-2＞（安/厘米＜＇-2＞·度＜＇-2＞），表明用多晶钨代替单晶钨，也能得到很低的逸出功值，其应用价值是好的。
Zro/W（多晶）材料φ和A的实验测定
【摘 要】
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在10＜＇-15＞乇真空条件下，对ZrO/W（多晶）的逸出功φ和发射常数A进行了测量。实验结果φ为3.05eV，A为1.16×＜＇-2＞（安/厘米＜＇-2＞·度＜＇-2＞），表明用多晶钨代替单晶钨，也能得到很低的逸出功值，其应用价
【机 构】
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西安交大微电子学系（西安）
【出 处】
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第七届中国真空微电子学与场致发射学术年会
【发表日期】
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1999年期
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