【摘 要】
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散裂中子源利用荷能质子轰击重核后产生高通量中子.慢化器是调控中子的关键部件.此前国际上用铆钉铆接镉皮和铝合金部件,存在慢化剂泄漏的潜在风险,同时铆钉铆接处也给物理建模增加难度.常规电镀的镀层厚度是微米级,在活性的铝合金上施加一层厚达1mm的镉镀层难度很大.本文介绍了铝合金上电镀厚镉的无氰电镀方法、参数及其中国散粒中子源耦合层的制造.
【机 构】
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成都理工大学核技术与自动化工程学院,四川成都610059 西南科技大学国防科技学院,四川绵阳621
【出 处】
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中国工程院化工、冶金与材料工程第十一届学术会议
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散裂中子源利用荷能质子轰击重核后产生高通量中子.慢化器是调控中子的关键部件.此前国际上用铆钉铆接镉皮和铝合金部件,存在慢化剂泄漏的潜在风险,同时铆钉铆接处也给物理建模增加难度.常规电镀的镀层厚度是微米级,在活性的铝合金上施加一层厚达1mm的镉镀层难度很大.本文介绍了铝合金上电镀厚镉的无氰电镀方法、参数及其中国散粒中子源耦合层的制造.
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