【摘 要】
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借助无机配体S2-取代CuinS2纳米晶表面的有机配体[1],采用滴涂法制备CuInS2前驱体薄膜,然后在硒气氛中快速升温热处理获得CuIn(S,Se)2薄膜.系统地研究了不同硒粉量、不同热处
【机 构】
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河南大学特种功能材料重点实验室,河南开封,475004
【出 处】
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第十三届固态化学与无机合成学术会议
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借助无机配体S2-取代CuinS2纳米晶表面的有机配体[1],采用滴涂法制备CuInS2前驱体薄膜,然后在硒气氛中快速升温热处理获得CuIn(S,Se)2薄膜.系统地研究了不同硒粉量、不同热处理时间及不同热处理温度对CuIn(S,Se)2薄膜的结构及形貌的影响.FESEM(图a,b)研究表明CuIn(S,Se)2薄膜表面没有明显的裂缝和孔洞,其厚度约为900nm,且无碳层及小颗粒层;XRD(图c)结果表明硒化后得到纯黄铜矿相且结晶性良好的CuIn(S,Se)2薄膜.微米尺寸晶粒堆砌的CuIn(S,Se)2薄膜的最优硒化条件是40mg硒粉,30min,500℃.
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