可靠性分析在经济合同质量纠纷中的作用

来源 :第九届全国可靠性物理学术讨论会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:niujd
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
文章主要通过产品质量引发经济合同纠纷的主要表现形式,剖析了产生经济合同质量纠纷的根源,从产品可靠性与质量管理的角度提出了严格产品标准化工作的管理,为维护商品流通的正常秩序,维护国家和社会公众的利益,开展可靠性分析,正确评价产品质量.
其他文献
研制成功了辐照加固的8位PDSOI80C51微控制器(单片机)-J80C51RH,其采用intel MCS-51系列微控制器的内核进行设计,功能完全兼容intel MCS-51系列80C51微控制器。J80C51RH由约为11万个MOSFETs组成,采用辐照加固的1.2μm PDSOI CMOS工艺技术制备,其工作频率可达33MHz,经辐照试验证明,该微控制器首次在国内实现抗总剂量辐照能力在1×1
对TI公司生产的TPS5461X和TPS5120电源芯片进行了动态Co伽马射线总剂量辐照试验,获得了其输出电压的辐照特性,并检测了测试电路板的工作电流,对TPS5461X和TPS5120电源芯片的辐照特性进行了比较。
本文介绍了一种星用抗辐射加固电源调制器,主要从电路设计、版图设计和工艺设计三个方面抗总剂量辐射进行介绍。该产品在-55℃-125℃全温范围内,输出延迟及上升时间≤150ns,输出延迟及下降时间≤150ns,输出高电平-0.68V~-0.72V,输出低电平≤-4.0V,抗总剂量指标达到1X10rad(Si)。
本文介绍了一种低功耗多功能低压差电压调整器的研制。在电路设计上,采用JFET启动电路,结合微功耗带隙基准源、偏置电路、SET比较器,实现固定+5V、可调输出的功能。在工艺上采用基于LC2MOS的加固工艺,做出的多功能电压调整器,具有:300mA下压差小于60mV,空载下静态电流小于25μA,抗总剂量加固达到1×105rad(Si)以上。
本文介绍了一种具有多种保护功能的抗辐射加固铁氧体移相驱动器的电路设计,内部电路结构复杂,保护功能完善,大大提高了系统的使用可靠性.本文主要从电路设计、版图设计和工艺设计三个方面抗总剂量辐射进行介绍。该产品在-55℃~125℃全温范围内,输出延迟时间≤300ns,输出上升时间≤100ns,输出高电平≥19V,输出低电平≤0.3V,抗总剂量指标达到1×10rad(Si)。
本文对不同辐射环境条件(不同辐照剂量率,不同辐照偏置)下的高速54HC CMOS电路的时间参数响应特性进行了研究,并对其辐照退化及失效机制进行了探讨,取得了一些有价值的研究结果。
对MOSFET在不同剂量率条件下的电离辐照效应进行了研究。结果显示:在实验的剂量率和总剂量范围内,在各种剂率辐照下,NMOS管和PMOS管的阈电压都出现负漂,且随辐照总剂量的增加而增大;在相同的总剂量时,PMOS管的低剂量率辐照时的阈电压漂移更显著,而NMOS管的则正好相反。
本文对A1/SiO/Si系统MOS电容分别在总剂量辐照和热载子注入下的损伤和电参数响应特性进行了比较,并通过对MOS结构进行不同顺序的热载子注入和总剂量辐照复合损伤试验,探讨了热载子损伤和电离辐射损伤的相互作用关系及其对电参数的影响,取得了有意义的结果和结论。
在部分耗尽绝缘体上硅(PD SOI)衬底上形成的128K静态随机存储器的抗总剂量率(TID)水平达到500krad(Si),瞬态剂量率水平超过2.45x10rad(Si)/s。本文重点介绍该抗辐射SRAM在加固方面的设计方法,并给出其封装后的电学及辐照测试结果。
本文对航天用独石电容器在使用过程中出现的一些常见失效模式如电容器短路或呈阻性,电容器容值下降或开路等常见失效模式进行了介绍,并对其常见的失效原因及机理进行了分析.