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采用溶胶-凝胶方法在Pt(111)/Ti/SiO2/Si(100)衬底上制备了以Bi4Ti3O12(BTO)为顶部缓冲层的高(117)晶粒取向的Bi3.15Nd0.85Ti2.99Mn0.01O12(BNTM)铁电薄膜.探究了顶部BTO 缓冲层对BNTM 薄膜的结构和电学性能的影响机理.