【摘 要】
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作为一种新型的半导体激光器件,双量子阱半导体激光器可以在同样电流下输出相当于单量子阱半导体激光器两倍的光功率。本文主要进行了双量子阱结构高功率半导体激光器的研制开发。首先研究并优化了器件的热管理和热应力管理,设计了一种新型的双面散热封装结构,开发了双面散热技术,显著降低了双量子半导体激光器有源区的温度。制备了波长808nm输出激光功率高达514.8W的准连续波双量子阱半导体激光器,该激光器的斜率效
【机 构】
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中国科学院西安光学精密机械研究所瞬态光学与光子技术国家重点实验室,陕西 西安 710119 西安炬
【出 处】
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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作为一种新型的半导体激光器件,双量子阱半导体激光器可以在同样电流下输出相当于单量子阱半导体激光器两倍的光功率。本文主要进行了双量子阱结构高功率半导体激光器的研制开发。首先研究并优化了器件的热管理和热应力管理,设计了一种新型的双面散热封装结构,开发了双面散热技术,显著降低了双量子半导体激光器有源区的温度。制备了波长808nm输出激光功率高达514.8W的准连续波双量子阱半导体激光器,该激光器的斜率效率达到2.73W/A,电光转换效率接近56％,上述参数均优于传统的单量子阱半导体激光器。
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