一种适用于D类音频功放的LDMOS设计与模拟

• 作 者: 许高博 韩郑生
• 机 构: 中国科学院,微电子研究所,北京,100029
• 出 处: 第十四届全国半导体集成电路、硅材料学术年会
• 发表日期: 2005年期
• 关键词: 音频功放 工艺模拟 器件耐压 中国科学院 电子研究所 模拟实现 模拟结果 工艺流程 电学特性 电流密度 原理 软件 标准

本文根据RESURF原理,模拟实现了一种适用于D类音频功放的LDMOS器件,其工艺流程参考中国科学院微电子研究所标准BiCMOS工艺,利用TSUPREM-4软件对其进行了工艺模拟,根据工艺模拟的结果,又利用MIDICI进行了器件电学特性的模拟,取得良好的模拟结果:器件耐压超过90V,导通电流密度为3×10-4A/μm(Vgs=5V).