【摘 要】
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针对锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),采用计算机数值仿真的方法分析SiGe HBT单粒子效应损伤机理及影响因素,探讨其单粒子效应敏感区域;采用激光微束单粒子效应模拟
【出 处】
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第九届中国科学院“百人学者论坛”学术年会
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针对锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT),采用计算机数值仿真的方法分析SiGe HBT单粒子效应损伤机理及影响因素,探讨其单粒子效应敏感区域;采用激光微束单粒子效应模拟实验方法研究SiGe HBT单粒子效应损伤响应.通过实验结果验证仿真模型,通过仿真分析为实验提供理论解释,既从半导体物理的角度对SiGe HBT单粒子效应损伤机理进行了深入探讨,又从实验的宏观角度对SiGe HBT单粒子效应相关影响因素进行了分析.理论和实践相结合,为SiGe HBT空间抗辐射加固研究打下了良好基础.
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