【摘 要】
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基于轻稀土元素-Nd与过渡金属元素-Co之间铁磁耦合作用提高电镀CoNiMnP永磁薄膜阵列的磁性能,在电镀时引入稀土Nd元素进入CoNiMnP永磁薄膜阵列中,通过改变镀液中NdCl的浓度而改变CoNdNiMnP薄膜中的Nd含量.对镀液中NdCl浓度与薄膜磁性能的关系进行了分析与测试,结果表明:室温下,在电流密度为5mA/cm时,具有垂直各向异性的CoNdNiMnP永磁薄膜阵列被成功地电镀得到.随着
【机 构】
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华西大学材料系(四川成都) 电子科技大学微电子与固体电子学院(四川成都)
【出 处】
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第五届中国功能材料及其应用学术会议
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基于轻稀土元素-Nd与过渡金属元素-Co之间铁磁耦合作用提高电镀CoNiMnP永磁薄膜阵列的磁性能,在电镀时引入稀土Nd元素进入CoNiMnP永磁薄膜阵列中,通过改变镀液中NdCl<,3>的浓度而改变CoNdNiMnP薄膜中的Nd含量.对镀液中NdCl<,3>浓度与薄膜磁性能的关系进行了分析与测试,结果表明:室温下,在电流密度为5mA/cm<2>时,具有垂直各向异性的CoNdNiMnP永磁薄膜阵列被成功地电镀得到.随着NdCl<,3>浓度的增加,薄膜的磁性能提高,当NdCl<,3>浓度增加到0.25×10<3>g/cm<3>时,薄膜的磁性能达到最大值,继续增加镀液中NdCl<,3>浓度,薄膜阵列的磁性能不再增加.
其他文献
主要研究了添加Cr置换NdFeCuCoB合金中的Co元素对FeB/NdFeB型纳米复合永磁体磁性能与微观结构的影响.结果表明:相应于Co元素而言,添加Cr元素可有效细化NdFeB合金软、硬磁性相的晶粒尺寸;随退火温度的升高,添加Cr元素的NdFeCuCrB合金的H值随退火温度的变化不明显.DTA曲线分析表明,NdFeCuCoB具有一个放热峰,而NdFeCuCrB具有两个放热峰.NdFeCuCrB非
采用X射线衍射分析(XRD)研究了Fe-Co-Nd-Dy-B非晶合金晶化过程中α-Fe、FeB纳米晶的生长动力学.根据纳米晶生长达到稳定状态所需的时间常数t与退火温度T的关系,计算了α-Fe和FeB纳米晶的生长激活能力:E=95±2kJ/mol和EB>=133±13kJ/mol.该值远小于α-Fe和FeB两相的表观晶化激活能:E=555kJ/mol和E=481kJ/mol.这表明Fe-Co-Nd-
研究了(FeCo)CuNbSiB合金晶化过程中的微观结构及形成纳米晶后的合金软磁性能,发现在FINEMET合金基础上,用Co置换1/2含量Fe形成的(FeCo)CuNbSiB非晶合金具有相对较高居里温度Tc≈450℃,460℃退火处理后(FeCo)CuNbSiB合金形成均匀纳米晶组织,晶粒度约为20nm.
分析了自1993年至今国内外文献中报道的α-Fe/RFeB纳米晶稀土永磁薄带的实验数据,研究了稀土含量及硼含量对材料磁性能的影响.结果表明,随稀土含量的增加,纳米晶稀土永磁薄带的矫顽力增加,剩磁趋于减小,稀土含量在8﹪~9﹪之间获得最佳的综合磁性能;较高的硼含量有利于获得高矫顽力,但不利于得到高剩磁,硼含量在5﹪~6﹪之间为宜.
用磁控溅射方法制备了以Ta和非磁性(NiFe)Cr为缓冲层的NiCo薄膜,研究了它们的各向异性磁电阻效应.结果表明:用厚度为4.5nm的非磁性(NiFe)Cr做缓冲层的NiCo薄膜,其各向异性磁电阻(AMR)值比用10nm的Ta做缓冲层的同样厚度的NiCo薄膜的AMR有较大的提高.比如,当NiCo薄膜的厚度为12.5nm时,AMR值能提高43﹪.X射线衍射(XRD)研究表明:缓冲层(NiFe)Cr
在氩保护气氛中用熔法制备了ErRFe(R=Pr,Ce)系列合金,通过粉末X射线衍射和SQUID磁强计研究了样品的结构和磁熵变.结果表明,轻稀土Pr和Ce的掺入没有明显改变Er Fe化合物的相结构,但改变了Er次晶格与Fe次晶格之间的耦合系数,使仍为六方ThNi型结构的ErRFe化合物的居里温度可通过成分微调使其处在室温附近,ErRFe化合物的λ形(-ΔS)-T曲线表明其在居里点附近发生的相变属于二
研究了TbDyFe合金中添加少量Al替代Fe时,对合金晶体结构、显微组织、磁致伸缩系数影响.结果发现,添加Al没有改变合金的晶体结构,随着Al添加量的增加,晶体显微组织中的析出物增加;在一定的磁场强度下,磁致伸缩系数随Al添加量而变化,当磁场强度低于40kA/m时,磁致伸缩系数随Al添加量的变化曲线出现一峰值,当磁场强度高于40kA/m时,磁致伸缩系数随Al添加量的增加而降低.
采用湿化学法和固相反应制备了BaFeMoO双钙钛矿化合物,对比研究了制备方法对其磁性能尤其是磁卡效应的影响.实验结果表明,湿化学法准备的样品具有较高的磁化强度,在居里温度附近磁化强度随温度的变化更加陡峭,因此具有较大的磁熵变值.
利用交流磁化率实验结果研究SrRuO材料的相变规律:利用居里温度处M(h,0)∝h关系得到δ=3.17±0.20.计算约化温度t=(Tm-T)/T,利用公式,t∝h,得到γ+β值为1.50±0.05.利用交流磁化率峰的高度x与峰的温度t的关系,x(h,t)∝t,得到指数γ=0.96±0.05.以上结果与平均场预测值相近.
用传统的固相反应法合成了Fe位Al掺杂的双钙钛矿型氧化物SrFeAlMoO(x=0,0.3),并研究了它们的低场磁电阻效应.无磁性Al离子的Fe位掺杂打破了晶粒内部Fe离子和Mo离子的交替有序排列,将晶粒内部的亚磁性区域分割成很多尺寸更小的区域,提高了磁场灵敏度,从而使得Al掺杂样品在低温时的磁电阻比未掺杂时的SrFeMoO提高一倍以上;但是Al掺杂后样品的磁电阻随着温度的升高而迅速下降,表现出更