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采用外部加装屏蔽壳的方法对X射线进行辐射屏蔽，可以减少X射线对器件的辐射损伤。通过研究发现，虽然 屏蔽材料减少了直照X射线的影响，但是X射线康普顿散射、光电效应产生的次级X射线和次级电子对器件的作用 不可忽略。本文通过改变入射光源光子能量、Si探测器位置、屏蔽材料厚度及照射面大小等参量，采用蒙特卡罗程序 模拟进行了计算比较，得到了X射线次级粒子对硅器件能量沉积的影响规律，并提出了降低次级粒子影响的方法。