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研究了光电导天线辐射产生的太赫兹电场强度与外加偏置电场的关系。利用太赫兹时域光谱系统对34μm孔径GaAs偶极子光电导天线进行了测量，得到了外加16.2kV/cm电场时，辐射太赫兹电场趋于饱和。理论分析了热载流子效应是使光电导天线辐射太赫兹电场趋于饱和的主要原因。同时用热载流予效应修正的扩散-漂移模型结合时域有限差分方法对该天线进行了仿真，仿真与实测数据吻合。结果表明，考虑飞秒激光照射强场条件下GaAs材料，修正的扩散-漂移模型热载流子效应对漂移速度的影响，能准确仿真偏置电场与光电导天线辐射场强的关系。