GaAs衬底上C<,60>薄膜取向生长

• 作 者: 姚江宏 陈光华
• 机 构: 大学物理系
• 出 处: '96中国材料研讨会
• 发表日期: 1996年期
• 关键词: 衬底温度 薄膜 取向生长 真空蒸发 温度过高 生长机理 射线衍射 扫描电镜 晶粒取向 沉积技术 双温区 分析表 织构 样品 无序 实验 解释 结构 方法 表面

该文报道用双温区真空蒸发沉积技术在ＧａＡｓ衬底上生长织构Ｃ〈，６０〉薄膜的实验结果。Ｘ－射线衍射及扫描电镜对样品的结构和形貌分析表明：用这种方法能够在ＧａＡｓ（１００）衬底上制备出完全（１１１）取向的Ｃ〈，６０〉薄膜，衬底温度对晶粒取向影响很大，温度过高或过低都会造成晶粒的取向无序。该文还对这些结果作了解释，对薄膜的生长机理进行了探讨，证实具有弱表面键的衬底是实现Ｃ〈，６０〉膜取向生长所必需的。