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本文根据移相掩模基本原理,通过光刻工艺模拟提出了一种适于T形栅光刻的新型移相掩模技术:M-PEL.实验实验证明,M-PEL技术可在单层厚胶上经一次光刻形成理想的T形栅抗蚀剂形貌.
用于T形栅光刻的新型移相掩模技术
【摘 要】
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本文根据移相掩模基本原理,通过光刻工艺模拟提出了一种适于T形栅光刻的新型移相掩模技术:M-PEL.实验实验证明,M-PEL技术可在单层厚胶上经一次光刻形成理想的T形栅抗蚀剂形貌
【机 构】
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信息产业部电子第十三研究所
【出 处】
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第十一届全国电子束、离子束、光子束学术年会
【发表日期】
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2001年期
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