【摘 要】
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通过时间分辨发光(TRPL)和温度依赖的电流电压特性研究了分子束外延生长的GaInP电池中的光学性质和载流子输运特性.由于其较低的界面复合GaInP/AlInP异质结比GaInP/AlGaInP的
【机 构】
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中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,器件部重点实验室,苏州215123
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通过时间分辨发光(TRPL)和温度依赖的电流电压特性研究了分子束外延生长的GaInP电池中的光学性质和载流子输运特性.由于其较低的界面复合GaInP/AlInP异质结比GaInP/AlGaInP的TRPL衰减时间更长.然而,在GaInP电池中,GaInP/AlInP-BSF界面的价带带阶更大,从而在界面处存在较大的势垒,引起串联电阻的增加,阻碍电池效率的提高.P+-AlInP做背场的GaInP电池在低温时I-V曲线呈现S型,这说明大的界面势垒阻碍了多数载流子的输运.低温下的I-V曲线可由电池的I-V和势垒引入的热载流子输运的叠加计算出来.实验表明,背场引起的串联电阻对电池性能有非常重要的影响.
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