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化学气相沉积方法(CVD)制备的石墨烯单晶具有优异的光学和电学性质，甚至可与机械剥离的石墨烯相比拟[1]。然而，如何将金属基底上的石墨烯洁净无损地转移至目标基底仍是目前亟需解决的难题。避免在转移过程中额外引入高聚物和刻蚀液残留等的污染同时制备悬空结构以减少基底掺杂都至关重要[2]。
无胶转移制备超洁净悬空大单晶石墨烯
【摘 要】
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化学气相沉积方法(CVD)制备的石墨烯单晶具有优异的光学和电学性质，甚至可与机械剥离的石墨烯相比拟[1]。然而，如何将金属基底上的石墨烯洁净无损地转移至目标基底仍是目前
【机 构】
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北京大学化学与分子工程学院,北京市海淀区成府路202号,100871
【出 处】
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中国化学会第30届学术年会
【发表日期】
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2016年期
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