【摘 要】
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Ⅲ-N化合物薄膜中普遍存在堆垛层错,其中I1层错,即能量最低的基底面层错,是最为常见的层错类型.I1层错可终止于不全位错,棱柱面堆垛层错(prismatic-plane stacking faults,PS
【机 构】
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中国科学院物理研究所北京凝聚态物理国家实验室,北京100190
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Ⅲ-N化合物薄膜中普遍存在堆垛层错,其中I1层错,即能量最低的基底面层错,是最为常见的层错类型.I1层错可终止于不全位错,棱柱面堆垛层错(prismatic-plane stacking faults,PSFs)或反相畴等.图1是利用JEM-2010电镜在Scherzer聚焦附近拍摄的AIN薄膜[1120]方向的高分辨像,图中a,b,c,d区域均含有I1层错,如白色折线所示.各I1层错所终止的区域(虚线框所示)的衬度比较复杂,其中没有不全位错,而且图1中也没有反相畴存在的证据,因而推测(a～d)所示区域中虚线框内应为PSFs(分别记为P1,P2,P3,P4).
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