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采用水热法制备了垂直基底生长的单晶TiO2纳米棒阵列，并用恒电位电化学法制备了CIS/TiO2纳米棒阵列复合薄膜。表面光电压谱(SPS)结果显示：CIS/TiO2纳米棒阵列复合薄膜的光电压谱响应扩展到可见光区；通过500oC硒化退火后，其表面光伏信号明显得到增强，特别是在可见-近红外光区域，其表面光电压响应较大程度的提高；通过对其结构的分析(XRD)，我们认为这种长波区域光电压响应程度的提高来源于硒化退火后其更完善的晶格结构。