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采用密度泛函理论和非平衡格林函数相结合的方法研究了XY@C22H22S2(X=C,Si;Y=Si,C)分子的电子输运性质.采用金电极和分子共同分子结体系.在优化分子结构和与电极接触方式的基础上,计算得到了它们零偏压下的电导值和有限偏压范围内的Ⅰ-Ⅴ 曲线.CC@C22H22S2 和CSi@C22H22S2 分子体系的平衡电导分别为60 6.6×10-6 G0 和5.3×10-6 G0,而SiSi@ C22H22S2 分子体系的平衡态电导为40 2.9×10-4 G0.由分子体系的投影轨道HOMO电子云分布图可知SiSi 分子体系与金电极的耦合作用比其它两个体系要强些,因此其平衡电导最大.从Ⅰ-Ⅴ 曲线可知,并通过不同偏压下分子体系的透射谱做了进一步解释.对于SiSi@C22H22S2 分子体系,整个偏压范围内正、负偏压区呈对称性,表现出开关效应.对于CC@C22H22S2 分子体系,低偏压区几乎没有电流,随着偏压增大,在正偏压区电流呈非线性增长,而在负偏压区的-1.5V 时,电流达到极大值,表现出了单向负微分电阻现象.对于CSi@C22H22S2 分子体系,低偏压区和CC@C22H22S2 分子体系一样是电流的禁区,且有一个很大的阈值电压.这些结果可为设计和制备C22H22S2 分子器件提供理论参考.