【摘 要】
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合成并表征了一种新的烷基噻吩取代的噻吩[2,3-f]并苯并呋喃(TBF)基聚合物 PTBFTDTBT.该聚合物有较高的分子量,良好的溶解性能,较宽的吸收光谱(300-700 nm)和相对较低的
【机 构】
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化学化工学院,中南大学,长沙,410083
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合成并表征了一种新的烷基噻吩取代的噻吩[2,3-f]并苯并呋喃(TBF)基聚合物 PTBFTDTBT.该聚合物有较高的分子量,良好的溶解性能,较宽的吸收光谱(300-700 nm)和相对较低的 HOMO 能级(-5.2 eV).用该聚合物作为电子给体材料,器件结构为 ITO/PEDOT：PSS/PTBFDTBT：PC71BM(1：2,w/w)/Ca/Al 时,在未经任何处理的情况下,得到了 6.4％的光电转换效率(PCE),其中短路电流(Jsc)为 13.51 mA/cm2,填充因子(FF)为 61％.初步的研究表明,TBF 在有机电子学方面极有可能是一个很有前景的构筑单元.
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