【摘 要】
：
采用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法在p-Si(111)衬底上制备出具有Zn1-xMgxO电子阻挡层的p-Si/Zn1-xMgxO/n-ZnO异质结器件。电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)测试结果表明,该型异质结器件具有良好的p-n结特性,其开启电压为3.5V,反向击穿电压约为-8.0V。在正向偏压下,器件的电致发光(EL)谱包括紫外和可见两部分,它们分别是由ZnO一侧的近带边和深能级上的辐射复合引起的。
【机 构】
：
集成光电子国家重点实验室,吉林大学电子科学与工程学院,长春 130012 大连理工大学物理与光电工
【出 处】
：
第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
论文部分内容阅读
采用金属有机化学汽相沉积(MOCVD)方法在p-Si(111)衬底上制备出具有Zn1-xMgxO电子阻挡层的p-Si/Zn1-xMgxO/n-ZnO异质结器件。电流-电压(Ⅰ-Ⅴ)测试结果表明,该型异质结器件具有良好的p-n结特性,其开启电压为3.5V,反向击穿电压约为-8.0V。在正向偏压下,器件的电致发光(EL)谱包括紫外和可见两部分,它们分别是由ZnO一侧的近带边和深能级上的辐射复合引起的。相比于传统的p-Si/n-ZnO结构,Zn1-xMgxO(x=0.1)阻挡层的引入,使得异质结的电致发光效率有了很大的提高。并通过ZnO的光致发光(PL)谱对异质结器件的发光机制进行了分析。
其他文献
本文结合工程实例，介绍了超高层建筑结构设计的主要特点和难点，以及结构分析与设计的有关内容，包括结构体系与布置，采用SATWE、ETABS有限元程序对结构进行的多遇地震作用下弹性分析和罕遇地震作用下的静力弹塑性分析，关键构件的承载力分析等。对超高层建筑结构设计的关键问题提出了解决方法和思路。
JCM-180新型高效重油催化裂化助剂采用多种先进技术制备，是一种性能卓越的FCC高效重油助剂。助剂采用海泡石和高岭土原位晶化工艺技术，实现了将海泡石引入高岭土原位晶化体系合成高结晶度的含有NaY沸石的介孔催化复合材料;通过对复合材料的改性和修饰可制备出助剂产品。这种高效重油裂化助剂主要表现在分子筛含量高、球形度好、比表面和孔容大、抗磨损能力强、活性高、重油转化能力和抗重金属能力强、焦炭选择性好、
分别使用三种现有催化剂和两种自制P催化剂，对三种不同性能的乙烯裂解C9原料油进行脱硫工艺和脱硫性能探索研究，最终确定了两段加氢工艺，选择出最佳催化剂组合，并对催化剂的下一步开发提出了方向。
在中型提升管催化裂化装置上，对新型降烯烃重油裂化催化剂LDO-70进行评价试验,并与CDC催化剂进行对比。试验结果表明，与国内重油转化能力优异的CDC催化剂相比，LDO-70催化剂具有较高重油转化能力和降低汽油中烯烃的能力。在干气+焦炭产率相当的情况下，重油产率降低1.85个百分点，汽油烯烃降低8.55个百分点。与催化剂LDO-70在辽河石化公司催化裂化装置上的工业试验结果规律一致。
介绍了一种贵金属精制催化剂在中国石油克拉玛依石化公司润滑油高压加氢装置中使用一年半后，与新鲜催化剂进行加氢活性变化的对比。实验结果表明，贵金属精制催化剂使用一年半后，加氢精制活性没有明显损失，催化剂裂解活性略有下降,产品收率略有上升，产品性能变化不大。
通过X荧光、BET等方法对几种球形聚丙烯催化剂的结构进行了分析，在2L本体聚合装置上对催化剂进行了评价，对比考察了催化剂活性、动力学行为、氢调敏感性及共聚性能等，对其聚合物进行了相关性能测试，归纳总结了各催化剂及其聚合物的性能特点。
中国石油锦西石化分公司150kt·a-1聚丙烯装置采用Novolen气相连续法聚丙烯生产工艺,开展丙烯聚合催化剂国产化的试用工作。通过营口向阳科化集团生产的CS-1-G丙烯聚合高效催化剂在该聚丙烯装置的试用，达到丙烯聚合催化剂国产化的目的。
综述了近年来对InAs/InGaSb超晶格材料的研究结果,给出了禁带宽度与各层厚度和组分的关系。制作了一系列不同In组分的超晶格材料,InAs/InGaSb超晶格材料对应的工作波长范围在3～25μm涵盖3～5μm,8～14μm两个重要大气窗口。并制备成探测器,光谱响应为8.4μm与12.5μm。
对乙醛甲醛氨制吡啶反应的化学平衡进行了较为详细的计算和分析，计算结果表明，该反应在热力学上容易进行。在所设定的反应条件下，甲醛、乙醛和氨的平衡转化率均在99％以上。在n(C2H4O)：n(CH2O)=1：3，吡啶的生成几乎可达到理想值1;在n(C2H4O)：n(CH2O)=2：2,其甲基吡啶的生成量明显要高于n(C2H4O)：n(CH2O)=2：1，并考察了反应温度和压力对反应产物的影响。
用等离子体辅助分子束外延方法在a-面蓝宝石上生长了ZnO基p—i—n同质结探测器,并研究了其光响应特性。其中的p型ZnO层是通过Li—N双受主共掺杂的方法制备的,采用金属锂和NO作为掺杂源。图1所示为器件的Ⅰ-Ⅴ特性曲线,由图可见器件具有典型的整流特性,开启电压大约为6V,证明了p型ZnO的制备成功。图2所示为器件的光响应谱线,从图中可以看到,在OV偏压下,器件在380nm处有一个明显的响应峰值,