利用表面电晕光发射检测合成绝缘子缺陷

• 作 者: 惠建峰 王黎明 王国利
• 机 构: 清华大学深圳研究生院能源电工新技术实验室,深圳市,518129
• 出 处: 中国电工技术学会电工陶瓷专业委员会、中国硅酸盐学会陶瓷分会电瓷学组、中国电器工业协会绝缘子避雷器分会2005年学术年会
• 发表日期: 2005年期
• 关键词: 表面电晕 光发射 检测效果 合成绝缘子 缺陷 电晕放电 导通性 光电倍增管 电场强度 程度 光脉冲 显示 实验 伞裙 模拟 局部 接地 方法 短路

合成绝缘子由于某些缺陷的存在会导致局部电场强度增大,并进而导致表面电晕放电.本文通过将合成绝缘子接地侧一部分伞裙短路来模拟合成绝缘子的导通性缺陷,利用光电倍增管对这种缺陷引起的电晕放电产生的光脉冲进行检测,从而判断合成绝缘子是否存在缺陷以及缺陷的严重程度.实验结果显示,这一方法对于发展到一定程度的合成绝缘子导通性缺陷有着良好的检测效果.