【摘 要】
：
为了研究聚变反应堆中等离子面壁材料中氦和氢同位素的滞留特性,在D2和He混合气氛下,利用射频磁控溅射系统在多晶硅和钨基底上制备了碳共沉积薄膜.离子束分析显示：室温条
【机 构】
：
复旦大学现代物理研究所,上海 200433
论文部分内容阅读
为了研究聚变反应堆中等离子面壁材料中氦和氢同位素的滞留特性,在D2和He混合气氛下,利用射频磁控溅射系统在多晶硅和钨基底上制备了碳共沉积薄膜.离子束分析显示：室温条件下,固定气体总压强2.5Pa,随着He相对气体流量(0.125～0.5)的增加,薄膜沉积速率随之减小但He浓度增加,薄膜中D的浓度在不同的基底上有不同的变化趋势,在硅基底上随着He相对流量的增加而增加(18％～45％),而在钨基底上反之(38％～30％).随着基底温度的增加(150 ℃～500 ℃)D和He浓度变小,同时薄膜的厚度也急剧变小.拉曼光谱分析显示,该碳沉积薄膜为非晶态氘化薄膜,无序程度随着氦含量的增加而加剧.扫描电镜分析显示,相对高的氦的引入,使得薄膜表面产生了气泡和裂纹,这些缺陷导致表面有裂纹和脱落现象呈现.
其他文献
开展高中阶段的语文教学时，除了课本中基本的知识外，教师还需要重视经典国学内容的渗透。中国古典文学不仅是我国优秀传统文化WDT的体现，更是能够帮助学生开拓视野，提高学生学习
水力压裂是低渗油田常采用的增产措施,在压裂过程中采用同位素示踪技术能够直观反应压裂效果,评价压裂工艺。同位素示踪技术使用的示踪砂是含有46Sc、124Sb或192Ir同位素
为了评估中子管内束流强度的准确性，设计了一套二次电子测量装置，采用间接测量法，利用中子发生器产生的氘离子束，对氘离子束轰击下氘化钛、氘化铒及氘化锆的二次电子发射系数
24 1Am发生中子俘获反应,主要生成激发态的242Amg(83.7％),242Amg通过β衰变生242Cm,242Cm为纯α衰变核素,242Cm的α粒子最低能量比241Am的α粒子最高能量高约500keV.用SRI
介绍了补偿中子测井的原理。利用蒙特卡罗方法模拟了涂硼MRPC热中子探测器和3He正比计数管在常规条件和欠平衡条件下的补偿中子测井中的响应。研究表明涂硼MRPC热中子探
进入深秋,昼夜温差悬殊。患有胃病的人饮食起居稍不注意,就会旧病复发,表现胃脘隐隐作痛、返酸、嗳气、恶心与呕吐,严重者还会发生出血和穿孔。为何秋凉后胃病容易复发呢?这
区域活动指的是一种活动形式。教育者以幼儿感兴趣的活动材料和活动类型为依据将活动室的空间相对划分为不同区域，让他们自主选择区域，在其中通过与材料、环境、同伴的充分互动
第一設計院編写的圓涵設计意見书,我们认为内容比较完善,因此在这里刊出,一方面希望起到技术交流的作用,同时也希望起到編写設計意見书范例的作用。
The first design insti
以书记领办项目标杆、引领、规范作用成为中职卫校基层党建的重要载体和有力抓手，加强学校党建的科学化、规范化发展，以此推动学校党建、业务融合发展。亮出党员身份，使思政工作
采用高分子缩聚制备了低缩醛程度的聚乙烯醇缩甲醛过滤料坯，对料坯进行清洗后以丙烯酸酯丙酮溶液对其进行溶胀处理，然后将溶胀的料坯在钴源装置中进行辐照处理，提高材料的交