【摘 要】
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半导体工业致力于在单位面积/体积上铺满更多的结构以期得到更高密度、更快运算速度的光电子元器件,而高介电系数物质可满足上述目的.TaO系氧化物是重要的高介电系数物质候选材料之一.本研究用电子显微学的方法研究了激光法合成的高介电系数陶瓷TaO-TiO晶体点阵结构:a=0.391nm,b=0.384nm,c=1.863nm,α=83.8°,β=95.9°,γ=88.5°.这种结构沿[110]方向在(11
【机 构】
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北京工业大学固体微结构与性能研究所(北京) 北京工业大学激光学院(北京)
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半导体工业致力于在单位面积/体积上铺满更多的结构以期得到更高密度、更快运算速度的光电子元器件,而高介电系数物质可满足上述目的.Ta<,2>O<,5>系氧化物是重要的高介电系数物质候选材料之一.本研究用电子显微学的方法研究了激光法合成的高介电系数陶瓷Ta<,2>O<,5>-TiO<,2>晶体点阵结构:a=0.391nm,b=0.384nm,c=1.863nm,α=83.8°,β=95.9°,γ=88.5°.这种结构沿[110]方向在(110)面调制,调制周期为:2.48nm.本研究认为:这种调制结构正是导致Ta<,2>O<,5>-TiO<,2>陶瓷介电系数大幅度提高的原因.
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