【摘 要】
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采用熔铝无压漫渗新工艺,研制出高导熟(热导率高迭252W/(m·K))、低膨胀(热膨胀系数7.8×10-6/K)的多功能铝基(SiCp/Al)复合材料.在该材料制备过程中,实现了微米级的SiC颗粒
【机 构】
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北京航空材料研究院 先进复合材料国防科技重点实验室,北京 100095
【出 处】
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2009全国功能材料科技与产业高层论坛
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采用熔铝无压漫渗新工艺,研制出高导熟(热导率高迭252W/(m·K))、低膨胀(热膨胀系数7.8×10-6/K)的多功能铝基(SiCp/Al)复合材料.在该材料制备过程中,实现了微米级的SiC颗粒、超高导热(1500W/(m·K))金刚石膜片与铝合金基体的高质量的原位同步复合。这种在半导体芯片安装位置精确地预置的尺寸不大的超高导热金刚石膜片的方式,可以较低的成本投入大大提高铝基复合材料封装元件的热耗散能力,并省去了金刚石膜片的表面金属化处理及钎焊工序,避免了焊接缺陷、降低了界面热阻,提高了封接的可靠性。
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