【摘 要】
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采用MOCVD方法,在Al2O3衬底上生长了ZnO薄膜,并利用X射线衍射、拉曼散射谱以及光致发光谱分析了薄膜的结构和发光性质。研究表明,在当前条件下生长的ZnO薄膜为六方纤锌矿结构,薄膜沿c轴方向取向生长,在薄膜当中仍存在张应力。在低温PL谱中,只观察到施主束缚激子的发光峰,其强度随测试温度的降低而增加。对ZnO薄膜变温PL谱的进一步分析表明,施主束缚激子的热激活能在10.3-13.6meV范围内
【机 构】
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集成光电子学国家重点联合实验室,吉林大学电子科学与工程学院,吉林 长春 130012
【出 处】
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第十六届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
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采用MOCVD方法,在Al2O3衬底上生长了ZnO薄膜,并利用X射线衍射、拉曼散射谱以及光致发光谱分析了薄膜的结构和发光性质。研究表明,在当前条件下生长的ZnO薄膜为六方纤锌矿结构,薄膜沿c轴方向取向生长,在薄膜当中仍存在张应力。在低温PL谱中,只观察到施主束缚激子的发光峰,其强度随测试温度的降低而增加。对ZnO薄膜变温PL谱的进一步分析表明,施主束缚激子的热激活能在10.3-13.6meV范围内.绝对零度下施主束缚激子的跃迁能约为3.321-3.324eV.
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