铌原子掺杂硅团簇的结构演化和电子性质:光电子能谱和理论计算

• 作 者: 卢胜杰 徐西玲 许洪光 郑卫军
• 机 构: 中国科学院化学研究所分子反应动力学国家重点实验室,北京市海淀区中关村北一街2号,100190
• 出 处: 中国化学会第30届学术年会
• 发表日期: 2016年期
• 关键词: 原子掺杂 硅团簇 结构演化 电子性质 光电子能谱 半导体团簇 笼状结构 物理和化学性质

　　过渡金属掺杂硅半导体团簇不仅使得它们化学性质稳定,并且展现出不同于纯硅半导体团簇的一些特殊的物理和化学性质,例如尺寸选择性,较大的HOMO-LUMOgap,可调控的光、电和磁性。[1,2]通过负离子光电子能谱结合从头算发现,NbSi3-7-中铌原子均以盖帽的形式与硅团簇结合形成加成结构；对于NbSi8-10-,铌原子与硅团簇结合形成半包笼状结构；NbSi11-是铌原子形成包笼型结构的阈值尺寸；NbSi12-是一个具有D6h高对称性的六棱柱笼状结构。