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该文报导了用电子束直写研制亚微米器件的结果，研究人员针对不同的电子束机型，采用了不同的电子束曝光工艺（包括抗蚀剂工艺、曝光工艺及图形转换工艺），研制的器件包括具有0．2um栅长的高电子迁移率晶体管（HEMT）具有叉指宽度为0.82-0.7微米、中心频率为950MHz，1.134GHz，1.350GHz的声表面波（SAW）谐振器和滤波器，以及具有0.5um叉指的MSM（金属—半导体—金属）光检测器的器件图形，除MSM因条件限制，图形转换工艺遇到极大困难未形成器件而外，前两种器件经测试证明：线条清晰，线宽均匀，高频性能优良，性能一致性好。另外，在微米级可变矩形电子束曝光机上研制成具有0.5um叉指的MSM器件图形，亦证明研究人员采取的曝光工艺是可行的。