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该文对UHV-CVD方法生长的GeSi／Si异质结材料的迁移率与生长条件的关系做了研究。文章首先介绍了GeSi外延的生长，然后对测量结果做了分析。测试表明，研究人员所生长的GeSi／Si外延测量在迁移率及晶格质量方面已达到一定要求；选择适当的生长温度，控制外延生长厚度在临界厚度内，可望获得较高的迁移率。