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低维异质结和固溶体半导体纳米材料具有丰富的光学、电学和热学性能,在纳米光学、纳米电子学、纳米光电子学领域具有潜在应用价值.半导体纳米材料的尺寸、成分、结晶度、生长取向及晶体结构缺陷与光电性能之间关系密切,尤其是晶体结构缺陷和成分对其发光性能影响显著.与宏观块体材料相比,尺寸在数百纳米范围内的纳米材料的晶体结构缺陷主要表现为位错、层错、孪晶等.这些晶体结构缺陷不仅影响半导体材料的本征带隙发光,而且还影响到缺陷发光的强度和峰位.